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DF23MR12W1M1B11BPSA1相关型号
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图片仅供参考,请参考产品描述

  • DF23MR12W1M1B11BPSA1

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET MOD 1200V 25A
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装托盘
  • 系列CoolSiC™
  • 零件状态有源
  • FET 类型2 N-通道(双)
  • FET 功能碳化硅 (SiC)
  • 漏源电压(Vdss)1200V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)25A(Tj)
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)45 毫欧 @ 25A,15V(标准)
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5.55V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)62nC @ 15V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1840pF @ 800V
  • 功率 - 最大值20mW
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装AG-EASY1BM-2

其它信息

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