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FS50R12W2T4相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • FS50R12W2T4

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 模块 IGBT 1200V 50A
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 模块
  • RoHS:是
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:IGBT-Inverter
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.85 V
  • 在25 C的连续集电极电流:83 A
  • 栅极—射极漏泄电流:100 nA
  • Pd-功率耗散:335 W
  • 封装 / 箱体:Module
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装:Tray
  • 商标:Infineon Technologies
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 产品类型:IGBT Modules
  • 工厂包装数量:15
  • 子类别:IGBTs
  • 零件号别名:FS50R12W2T4BOMA1 SP000404114
  • 单位重量:39 g

其它信息

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