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IPW60R060C7XKSA1相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPW60R060C7XKSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET HIGH POWER_NEW
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPW60R060C7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:35 A
  • Rds On-漏源导通电阻:52 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:68 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:162 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Tube
  • 高度:21.1 mm
  • 长度:16.13 mm
  • 系列:CoolMOS C7
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:5.21 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:4 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:11 ns
  • 工厂包装数量:240
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:79 ns
  • 典型接通延迟时间:15.5 ns
  • 零件号别名:IPW60R060C7 SP001385020
  • 单位重量:6 g

其它信息

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