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IPG16N10S4-61相关型号

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热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPG16N10S4-61

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET MOSFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPG16N10S4-61的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TDSON-8
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:100 V
  • Id-连续漏极电流:16 A
  • Rds On-漏源导通电阻:53 mOhms, 53 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:7 nC, 7 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:29 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 资格:AEC-Q101
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.27 mm
  • 长度:5.9 mm
  • 系列:XPG16N10
  • 晶体管类型:2 N-Channel
  • 宽度:5.15 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:5 ns, 5 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:1 ns, 1 ns
  • 工厂包装数量:5000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:5 ns, 5 ns
  • 典型接通延迟时间:3 ns, 3 ns
  • 零件号别名:IPG16N10S461ATMA1 IPG16N1S461XT SP000892972
  • 单位重量:100 mg

其它信息

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