专注芯片现货，您所值得信赖的IC供应商！欢迎联系我们获取IC报价，无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线：0755-82572287

当前位置:  电子元器件配单  >>  相关型号  >>  IRFB52N15DPBF详细信息

IRFB52N15DPBF相关型号

  • IPA60R125P6

    MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

  • IPB073N15N5ATMA1

    MOSFET

  • IGW15N120H3

    IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

  • IPP60R099P7XKSA1

    MOSFET HIGH POWER_NEW

  • IGW40N60H3

    IGBT 晶体管 600V 40A 306W

  • IKW40N65F5FKSA1

    IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

  • IGW50N60TPXKSA1

    IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.

  • IKW50N65ES5XKSA1

    IGBT 晶体管 TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRFB52N15DPBF

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IRFB52N15DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:150 V
  • Id-连续漏极电流:60 A
  • Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
  • Qg-栅极电荷:60 nC
  • Pd-功率耗散:320 W
  • 配置:Single
  • 封装:Tube
  • 高度:15.65 mm
  • 长度:10 mm
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.4 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 零件号别名:SP001572332
  • 单位重量:6 g

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

原厂芯片长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户

深圳市宏欣微电子科技有限公司

原厂原装正品，备大量库存

7X24小时询价热线

0755-82572287

我们专注原装
优势现货提供
免费送样
芯速度 芯未来
0755-82572287
15012774899
QQ询价
微信询价
真芯，细芯，更贴芯