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热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRG7PH35UDPBF

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 安装风格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV
  • 集电极—射极饱和电压:1.9 V
  • 栅极/发射极最大电压:30 V
  • 在25 C的连续集电极电流:50 A
  • Pd-功率耗散:180 W
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装:Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic:50 A
  • 商标:Infineon Technologies
  • 栅极—射极漏泄电流:100 nA
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:400
  • 子类别:IGBTs
  • 零件号别名:SP001537540
  • 单位重量:38 g

其它信息

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