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热销型号

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  • IPL60R299CP

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:VSON-4
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:11.1 A
  • Rds On-漏源导通电阻:299 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:96 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 长度:8 mm
  • 系列:CoolMOS CE
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:8 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:5 ns
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:5 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:40 ns
  • 典型接通延迟时间:10 ns
  • 零件号别名:IPL60R299CPAUMA1 IPL6R299CPXT SP000841896
  • 单位重量:187.720 mg

其它信息

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