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IGW30N100TFKSA1相关型号

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热销型号

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  • IGW30N100TFKSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IGW30N100TFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 安装风格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1000 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.8 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:60 A
  • Pd-功率耗散:412 W
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 系列:TRENCHSTOP IGBT
  • 封装:Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic:30 A
  • 商标:Infineon Technologies
  • 栅极—射极漏泄电流:600 nA
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:240
  • 子类别:IGBTs
  • 商标名:TRENCHSTOP
  • 零件号别名:IGW30N100T IGW3N1TXK SP000380845
  • 单位重量:400 mg

其它信息

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