专注芯片现货,您所值得信赖的IC供应商!欢迎联系我们获取IC报价,无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线:0755-82572287
SPB17N80C3ATMA1相关型号
  • FF300R12KS4PHOSA1

    IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM

  • HFA15TB60PBF

    整流器 15A 600V Ultrafast diode

  • IRMD808

    电源管理IC开发工具 uIPM - Demoboard Featuring IRSM808

  • IRAC1167-D2

    子卡和OEM板 Daughterboard for IR1167, IR11662, or IR11672 and SOIC8 MOSFETs

  • IRMD836

    电源管理IC开发工具 uIPM - Demoboard Featuring IRSM836

  • IRAC1167-D3

    子卡和OEM板 Daughterboard for IR1167, IR11662, or IR11672 and DirectFET MOSFETs

  • IRAC1167-D1

    子卡和OEM板 Daughterboard for IR1167, IR11662, or IR11672 and TO-220 MOSFETs

  • IRAC11688-TO220

    子卡和OEM板 Daughterboard for IR11688 for TO-220 MOSFETs

热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • SPB17N80C3ATMA1

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,SPB17N80C3ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *姓名:
  • *电话:
  • Q Q:
  • *邮箱:

详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-263-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:800 V
  • Id-连续漏极电流:17 A
  • Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:117 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:227 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:4.4 mm
  • 长度:10 mm
  • 系列:CoolMOS C3
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:9.25 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:12 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:15 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:72 ns
  • 典型接通延迟时间:25 ns
  • 零件号别名:SP000013370 SPB17N80C3 SPB17N8C3XT
  • 单位重量:2 g

其它信息

一级代理商,大小批量出货,欢迎来询

原厂芯片长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户

我们专注原装
优势现货提供
免费送样
芯速度 芯未来
0755-82572287
15012774899
QQ询价
微信询价
真芯,细芯,更贴芯