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IMW65R027M1HXKSA1相关型号
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图片仅供参考，请参考产品描述

  • IMW65R027M1HXKSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

优势价格，IMW65R027M1HXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压（Vdss）-
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）-
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）-
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）-
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）-
  • Vgs（最大值）-
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）-
  • 工作温度-
  • 安装类型-
  • 供应商器件封装-
  • 封装/外壳-

其它信息

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