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BSC084P03NS3EGATMA1相关型号
热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • BSC084P03NS3EGATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列OptiMOS™
  • 零件状态有源
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14.9A（Ta），78.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）8.4 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 110µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）57.7nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±25V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4240pF @ 15V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）2.5W（Ta），69W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TDSON-8-5
  • 封装/外壳8-PowerTDFN

其它信息

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